Diode Current Equation & Its Derivation
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2019年12月16日
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2(a). Calculate the ideal reverse saturation current density (Jo) in a silicon p-n junction diode.The parameters of the diode are:Na = 5 x 10^16 cm^-3ni = 9.65 x 10^3 cm^-3D = 21 cm^2/secDp = 10 cm^2/secTn = Tp = 5 x 10^-6 sec2(b) Calculate the forward current density for the ideal p-n junction in 2(a) at a forward voltage (V = 0.5V)2(c) Calculate the generation current density under reverse bias voltage of -5V. Assume for 2(c) that depletion has traps, i.e. p-n junction is not ideal just for 2(
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The reverse saturation current at 300 \mathrm{K} of a p-n junct... | Filo
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2022年11月25日
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In the reverse-bias region the saturation current of a silicon diode is about 0.1 μA(T=20^∘ C) Determine its approximate value if the temperature is increased 40^∘ C. | Numerade
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